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我国石墨烯玻璃晶圆氮化物材料外延取得“0到1”的原创性突破

作者:马爱平   发布时间:2021年08月03日    浏览量:542   字体大小:  A+   A- 

         从北京石墨烯研究院获悉,近期中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范、中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作,提出了一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),国际上首次在玻璃衬底上成功“异构外延”出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备蓝光发光二极管(LED)。相关成果7月31日发表于《科学》子刊《科学·进展》。
         半导体产业是科技自立自强的底层保障。在全球信息化、5G时代以及新冠肺炎疫情的影响下,以III族氮化物为代表的先进半导体迎来发展的高峰期。一直以来,我国氮化物核心材料、器件的原始创新能力较为薄弱,核心专利技术不足。同时,由于缺乏同质衬底,氮化物材料一直通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石、硅、碳化硅等单晶衬底上进行异质外延。单晶衬底的尺寸、成本、晶格失配、热失配、导热导电性等限制了氮化物材料的发展。因此,摆脱传统衬底限制是氮化物材料制备的瓶颈问题,也是通过自主创新引领先进半导体产业发展的的关键。
        研究人员巧妙地利用石墨烯解决了该问题。他们在生长初期,利用石墨烯的晶格来引导氮化物的晶格排列,在非晶玻璃上也实现了高质量氮化物的外延。通常,玻璃上生长的氮化物上是完全杂乱无序的多晶结构。石墨烯的晶格引导作用使得玻璃上的氮化物的面外取向完全一致,面内取向也由通常的随机取向被限制成三种,从而得到了高质量的准单晶薄膜。他们进一步生长了蓝光LED结构,其内量子效率高达48.7%。此外,他们充分利用界面处弱的范德华作用力,将生长的外延结构机械剥离并制备了柔性的LED样品。据悉,面向大规模产业应用,北京石墨烯研究院在玻璃衬底上采用化学气相沉积,发展了一系列石墨烯晶圆制备方法,为氮化物变革性制备技术的探索提供坚实基础。
        刘忠范表示,这一成果是典型的“从0到1”式的原创性突破,为石墨烯等二维材料的产业化应用提供了新思路,有望发展为氮化物变革性制备技术,解决先进半导体发展技术瓶颈,在新型显示、柔性电子学等领域具有重要应用前景。同时,该技术通过“异构外延”减弱了氮化物对单晶衬底的依赖,对于扩大半导体外延衬底选择范围、丰富半导体异质外延概念、实现面向后摩尔时代的片上物质组装和异构集成,具有重要意义。
 

来源:科技日报